研究:接合

Schematic of Surface activated bonding based on fast atom beam
III-V/Si wafer bonded by
Surface activated bonding
based on fast atom beam

レーザーや増幅器などのアクティブデバイスで構成される光集積回路 (Photonic integrated circuit: PIC) の実現に向けたソリューションの一つに、Silicon-on-insulator (SOI)上のⅢ-Ⅴ族化合物半導体のハイブリッド集積化が挙げられます。通常、このようなハイブリッドウェーハ接合には、親水性接合またはプラズマ活性化接合 (Plasma activated bonding: PAB) が使用されます。ただし、高い接合強度を得るには150°C以上のアニール温度と長い冷却時間が必要であり、接合されたウェハーの熱膨張係数の違いによって熱応力が発生してしまいます。そこで近年提案された方法として、高速原子ビーム (Fast atom beam: FAB) に基づく表面活性化接合(Surface activated bonding: SAB) があります。これにより、室温でのウェハー接合や熱膨張応力の影響の低減が期待でき、ハイブリッド高機能レーザーの作製が可能となります。

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東京工業大学 工学院 電気電子系 西山研究室

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